温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型提供一种隔离沟槽薄膜填充结构及半导体存储器件，其中，隔离沟槽薄膜填充结构至少包括：一半导体衬底，该半导体衬底制备有外围沟槽；预制填充层，覆盖外围沟槽的侧壁和底部；以及，高密度等离子体氧化物层，该高密度等离子体氧化物层覆盖在外围沟槽...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。