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本实用新型提供了一种反应腔室以及电容耦合等离子体设备,反应腔室包括底壁、内衬、支撑组件和磁性组件。内衬设置于腔室本体内,包括位于腔室本体底壁上方的底衬;支撑组件设置于被底衬环绕的工艺区域内,用于支撑晶片;磁性组件设置于工艺区域外,用于形成磁...该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。
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本实用新型提供了一种反应腔室以及电容耦合等离子体设备,反应腔室包括底壁、内衬、支撑组件和磁性组件。内衬设置于腔室本体内,包括位于腔室本体底壁上方的底衬;支撑组件设置于被底衬环绕的工艺区域内,用于支撑晶片;磁性组件设置于工艺区域外,用于形成磁...