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提供了一种3D NAND导线孔的制备方法，该导线孔形成在串选择区，且该导线孔中填充了钨金属以实现导线连接，在预清洁步骤之前在该导线孔中沉积一富硅氮化硅层以作为隔离介质层。上述制备方法中，利用富硅氮化硅层沉积工艺代替了传统的氮化硅沉积，从而减...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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