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本发明提供一种新的用于三维存储器沟道导通性的测量方法,该方法通过结合使用聚焦离子束机台以及纳米点针台，从而可以在外围电路工艺完善之前提前完成对沟道导通性的准确测试。可以克服传统测量方法中外围控制电路的不良问题对三维存储器沟道导通性测量的影响...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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