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VNAND拉伸厚TEOS氧化物制造技术
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文档序号:17844027
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本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法,该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中,该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板,使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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