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本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元，包含选择晶体管及串接选择晶体管的浮置栅极晶体管。选择晶体管包含一选择栅极、一选择栅极氧化层、一源极掺杂区、一第一轻掺杂漏极区，接合源极掺杂区、一共享掺杂区，以及一第二轻掺杂漏极区，接合共享掺杂区。...
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