温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种改善锗硅源漏极形貌的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体基体，以及至少一个布置在位于第一浅槽隔离结构和第二浅槽隔离结构之间的半导体基体上方的栅极结构；形成掩膜层；刻蚀出沟槽；在所述掩膜层上形成一氧化物层；将所述氧化物层平坦化...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。