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本申请公开了一种鳍式场效应晶体管及其制备方法，其中，所述鳍式场效应晶体管的制备方法将假栅的主刻蚀过程分为两次刻蚀过程，即对假栅层的第一次刻蚀和对假栅雏形结构的第二次刻蚀，并且在两次主刻蚀过程中引入了一次氮化处理，以在第一次刻蚀形成的假栅雏形...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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