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本发明提供一种电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法，包括：提供半导体衬底，于半导体衬底上形成牺牲层及支撑层；形成具有窗口的图形化掩膜层，并于牺牲层及支撑层内形成电容孔；于电容孔的底部及侧壁形成下电极层，去除牺牲层；于下电极层的内表面以及外...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。

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