温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在制造高电子迁移率晶体管的方法中，第一Ⅲ‑V族半导体层在基板上形成。第一Ⅲ‑V族半导体层经图案化以形成鳍及凹陷表面。第二Ⅲ‑V族半导体层形成以覆盖鳍及凹陷表面的顶表面及全部侧表面。第二Ⅲ‑V族半导体层通过等离子辅助原子层沉积形成，其中在每次...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。