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本发明提供一种短制程阶段的三维存储器电性测试方法及测试结构，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供短制程阶段的三维存储器(阵列区尚无通孔)；研磨短制程阶段的三维存储器中待测区域的沟道孔至露出多晶硅插塞，并在露出的多晶硅插塞上沉积金属形成位线...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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