温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的离子束装置不会损耗发射极电极而清洗腔室内部，从而抑制离子释放电流的变动。离子束装置包含GFIS(1)，该GFIS(1)具有：有针状前端的发射极电极(21)；在发射极电极前端方向与该发射极电极间隔的位置处有开口的引出电极(23)；以及...
该专利属于株式会社日立高新技术所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立高新技术授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。