离子束装置以及气体场致发射离子源的清洗方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】离子束装置以及气体场致发射离子源的清洗方法
本专利技术涉及一种离子束装置以及气体场致发射离子源的清洗方法。
技术介绍
专利文献1及2中记载有一种在发射电极前端具有微小突起的高亮度气体场致发射离子源(GasFieldIonSource，简称：GFIS)。专利文献1、2中还记载有一种搭载GFIS的聚焦离子束(FocusedIonBeam，简称：FIB)装置。聚焦离子束装置生成氢(H2)、氦(He)、氖(Ne)等气体离子束。和液态金属离子源(LiquidMetalIonSource，简称：LMIS)所生成的镓(Ga)聚焦离子束(简称：Ga-FIB)相比，气态聚焦离子束(简称：气体FIB)具有不会对试料造成Ga污染的优点。GFIS除了不会对试料造成Ga污染的优点外，还具有能够形成比Ga-FIB更加微细的离子束的优点。原因在于GFIS的气体离子能带宽度较窄，且离子发生源的尺寸较小。气体FIB装置被用作高分辨率扫描离子显微镜。也就是说，在扫描离子显微镜中，与试料上的离子扫描进行同步，对试料释放出的二次粒子进行检测，形成试料的图像。在GFIS中，由于杂质气体对发射极电极前端的吸...
【技术保护点】
一种离子束装置，包含气体场致发射离子源，该气体场致发射离子源具有：有针状前端的发射极电极；在该发射极电极前端方向与该发射极电极隔开的位置具有开口的引出电极；以及内含所述发射极电极的腔室，该离子束装置的特征在于，所述气体场致发射离子源具有：离子化用气体导入路径，在对所述发射极电极施加了离子束产生电压以上的电压的状态下，该离子化用气体导入路径向所述腔室导入离子化用气体；以及清洗用气体导入路径，在对所述发射极电极施加了低于所述离子束产生电压的电压的状态或者未施加电压的状态中的任一状态下，该清洗用气体导入路径向所述腔室导入清洗用气体，导入了所述清洗用气体的状态下的所述腔室的压力高于...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种离子束装置，包含气体场致发射离子源，该气体场致发射离子源具有：有针状前端的发射极电极；在该发射极电极前端方向与该发射极电极隔开的位置具有开口的引出电极；以及内含所述发射极电极的腔室，该离子束装置的特征在于，所述气体场致发射离子源具有：离子化用气体导入路径，在对所述发射极电极施加了离子束产生电压以上的电压的状态下，该离子化用气体导入路径向所述腔室导入离子化用气体；以及清洗用气体导入路径，在对所述发射极电极施加了低于所述离子束产生电压的电压的状态或者未施加电压的状态中的任一状态下，该清洗用气体导入路径向所述腔室导入清洗用气体，导入了所述清洗用气体的状态下的所述腔室的压力高于导入所述离子化用气体时的所述腔室的压力。2.如权利要求1所述的离子束装置，其特征在于，使向所述腔室导入所述清洗用气体时所述发射极电极的温度高于导入所述离子化用气体时的所述发射极电极的温度。3.如权利要求2所述的离子束装置，其特征在于，还具有冷却所述发射极电极的冷却装置，向所述腔室导入所述离子化用气体时，使所述冷却装置运转，向所述腔室导入所述清洗用气体时，使所述冷却装置停止运转。4.如权利要求1所述的离子束装置，其特征在于，在向所述腔室导入了所述清洗用气体的状态下，抑制在所述腔室内发生放电。5.如权利要求1所述的离子束装置，其特征在于，所述清洗用气体的纯度低于所述离子化用气体的纯度。6.如权利要求1所述的离子束装置，其特征在于，在所述离子化用气体导入路径上设置纯化所述离子化用气体的纯化部。7.如权利要求1所述的离子束装置，其特征在于，所述纯化部是使所述离子化用气体选择性地透过的膜。8.如权利要求1所述的离子束装置，其特征在于，所述清洗用气体的分子量在所述离子化用气体的分子量以下。9.如权利要求1所述的离子束装置，其特征在于，所述清洗用气体是包含分...
【专利技术属性】
技术研发人员：川浪义实，小原笃，桥诘富博，志知广康，松原信一，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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