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本发明提供了一种存储器及其形成方法。利用依次设置在位线传导层上的位线保形层、位线分隔夹层和位线掩蔽层构成位线传导层的侧墙隔离结构，并且由于位线分隔夹层的介电常数低于位线保形层和位线掩蔽层的介电常数，从而可相应地减小位线传导层的侧墙隔离结构的...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。

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