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公开了一种集成电路单元及其制造方法及包括该集成电路单元的电子设备。根据实施例，集成电路单元可以包括：彼此叠置在衬底上的第一器件和第二器件，其中第一器件和第二器件各自均包括依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及绕沟道层外周形成的栅堆...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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