温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种非晶化离子注入制作SIGMA型锗硅沟槽及器件的方法，包括以下步骤：S201，在硅衬底上形成有源层；S202，在有源层上形成晶硅栅极；S203，形成晶硅栅极侧墙；S204，形成锗硅硬掩化膜；S205，锗硅光刻；S206，锗硅干法...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。