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公开了一种应用应力记忆技术制造半导体器件的方法。根据实施例，该方法可以包括：在衬底上设置包括第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层的有源区；绕沟道层的外周形成牺牲栅；形成能够在去除牺牲栅后保持沟道层中至少部分应力并露出至少部分牺牲栅的保持层；去...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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