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本实用新型提供一种半导体结构，包括：衬底、导电互连结构、绝缘被覆层、绝缘气封层及线路间绝缘气囊；所述绝缘被覆层形成于导电互连结构中线路结构暴露的表面，且在所述线路结构之间形成有沟槽；所述绝缘气封层形成于绝缘被覆层上，并闭所述沟槽的开口，以形...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。

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