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一种形成三维存储器装置的方法，包含在基板之上形成绝缘材料层和第一牺牲材料层的下部堆叠体结构，穿过下部堆叠体结构形成第一存储器开口并用牺牲填充材料填充第一存储器开口，用第一导电层替换第一牺牲材料层，在替换第一牺牲材料层之后在下部堆叠体结构之上...
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