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一种半导体器件可以包括衬底、第一纳米线、第二纳米线、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一金属层和第二金属层。第一栅极绝缘层可以沿着第一纳米线的周界。第二栅极绝缘层可以沿着第二纳米线的周界。第一金属层可以沿着第一纳米线的周界在第一栅极绝缘层的...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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