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提供了一种制造存储器器件的方法，所述方法包括在半导体基板之上形成绝缘体层和间隔体材料层的第一交替堆叠体，蚀刻所述第一交替堆叠体以暴露单晶半导体材料，在所述单晶半导体材料上形成第一外延半导体基座，使得所述第一外延半导体基座与所述单晶半导体材料...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

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