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本发明公开了一种多芯片集成封装结构以及防范，包括框架基岛，所述框架基岛上装贴有两个第一MOS芯片，在第一MOS芯片表面部分区域上分别装贴第一铜片，第一铜片连接框架基岛的脚位，在第一铜片的上方分别贴装有一个第二MOS芯片，在两个第二MOS芯片...该专利属于无锡麟力科技有限公司;上海南麟电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡麟力科技有限公司;上海南麟电子股份有限公司授权不得商用。