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存储器器件中的感测电路在感测过程中能够被预充电至不同的水平以减少用于感测的时间量。例如，在编程操作中，存储器单元处于快编程模式，直到它的阈值电压超过数据状态的偏移验证电压(VO)。偏移验证电压低于数据状态的最终验证电压(VF)。当阈值电压在...
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