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本发明提供了一种垂直堆叠的环栅纳米线晶体管及其制备方法。该方法中先提供表面设置有沟道层和牺牲层的衬底，牺牲层与沟道层沿远离衬底的方向交替层叠设置，最外层的牺牲层上形成掩膜层，然后从各牺牲层的裸露表面开始向内进行刻蚀，使牺牲层的具有裸露表面的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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