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本发明提供一种提高存储单元区与控制电路区侧墙厚度差的方法，适用于非易失性闪存，包括：提供一复合结构；于一反应腔中采用第一反应压力在衬底上依次沉积第一SiO2层和...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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