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公开了用于具有外延生长的硼掺杂硅锗（SiGe:B）S/D区的p‑MOS晶体管中的电阻减小的技术。该技术可以包含在晶体管的硅（Si）沟道区和SiGe:B替换S/D区之间生长一个或多个界面层。所述一个或多个界面层可以包含：单层硼掺杂Si（Si:...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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