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描述了用于形成半导体结构的金属特征的自底向上填充方式和所得到的结构。在示例中，一种半导体结构包括设置于层间电介质(ILD)层中的沟槽。沟槽具有侧壁、底部和顶部。U形金属种子层设置在沟槽的底部并沿着沟槽的侧壁，但大体上位于沟槽的顶部下方。金属...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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