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本发明提供一种应用于存储器的半导体结构及其制备方法，制备包括：提供一半导体基材，半导体基材内具有若干沟槽结构；采用第一沉积反应气体在第一温度下于沟槽结构的底部及侧壁形成晶核层，为后续沉积填充层提供沉积条件，采用间歇式循环沉积的模式形成供长晶...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。

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