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本发明公开一种瞬态抑制二极管芯片结构，该瞬态抑制二极管芯片结构包括：第一导电类型衬底层；形成于第一导电类型衬底层一表面的第一导电类型注入层；形成于第一导电类型衬底层与第一导电类型注入层之间的第二导电类型外延层；以及隔离结构，隔离结构贯穿第一...
该专利属于东莞市阿甘半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市阿甘半导体有限公司授权不得商用。

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