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半导体存储器件制造技术
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文档序号:17305800
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本发明公开了一种半导体存储器件,所述半导体存储器件包括(部分地):第一数据I/O块和第二数据I/O块。在写入操作期间,第一数据I/O块将经由第一焊盘供应的输入数据传送第一全局I/O线,并且还产生写入内部信号。第二数据I/O块响应于监控使能信...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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