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一种装置，包括三维半导体主体，三维半导体主体包括沟道区和布置在沟道区的相对侧上的结区，三维半导体主体包括多个纳米线，纳米线包括布置在结区中由第二材料分离的相应的平面中的锗材料，其中第二材料的晶格常数类似于锗材料的晶格常数；以及布置在沟道区上...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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