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用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的代表性方法包括：在衬底上方形成多个鳍结构以及形成插入在鳍结构的邻近的一对之间的多个隔离结构的步骤。蚀刻鳍结构和隔离结构的上部。在相应的鳍结构上方形成外延结构，其中，外延结构的每个均邻接邻近的外延结构...
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