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本发明涉及非易失性存储器。实施方式涉及一种非易失性存储器。提出能够在各种系统使用的非易失性RAM。实施方式的非易失性RAM具备：导电线(LSOT)，在第1方向上延伸；存储元件(MTJ1～MTJ8)，具有第1端子以及第2端子，第1端子连接到导...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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