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一种具有三维(3D)结构的半导体存储器装置，其包括：单元区域，其设置在衬底上方、包括单元结构；外围电路区域，其设置在衬底和单元区域之间；上部布线结构，其设置在单元区域上方；主沟道膜和虚拟沟道膜，其通过单元结构形成。其中虚拟沟道膜适于电联接上...
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