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一种方法包括在第一硬掩模层上方形成含碳层，含碳层具有大于约25％的碳原子百分比；在含碳层上方形成覆盖层；在覆盖层上方形成第一光刻胶；和将第一光刻胶用作第一蚀刻掩模，蚀刻覆盖层和含碳层。然后，去除第一光刻胶。在覆盖层上方形成第二光刻胶。将第二...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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