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非硅鳍状物结构从衬底的阱凹陷中的晶体异质外延阱材料延伸。III‑V鳍式FET可以形成于阱凹陷内的鳍状物结构上，而IV族鳍式FET形成于衬底的与阱凹陷相邻的区域中。阱材料可以被围绕穿过隔离材料的柱的非晶隔离材料与衬底电隔离，柱将阱材料耦合到衬...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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