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一种具有高耐久性的相变存储器的集成电路及其制造方法。本发明公开一种交叉点阵列中的存储单元，其具有较佳的耐久性。各存储单元设置于第一导体及第二导体之间，包括开关与相变材料柱体串联。此柱体在接近第二导体的一端具有富碲材料，而在接近第一导体的另一...
该专利属于旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司授权不得商用。

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