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本发明公开了一种三维非易失性存储器，包括基底、堆叠结构与沟道层。堆叠结构设置于基底上，且包括多个第一介电层、多个栅极与多个电荷存储结构。第一介电层与栅极交替地堆叠。电荷存储结构设置于栅极的一侧。相邻两个电荷存储结构借助位于其间的第一介电层进...
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