下载半导体器件及其制造方法的技术资料

文档序号:17102053

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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有由器件隔离层限定的有源区的基板。栅电极沿第一方向在有源区之上延伸,多个互连沿垂直于第一方向的第二方向在字线之上延伸。接触垫设置在栅电极和多个互连之间并与栅电极和多个互连间隔开,当从平...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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