温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了具有罩层的气隙互连结构和用于形成这种气隙互连结构的方法。提供了具有电介质层的衬底，该电介质层具有在其中形成的多个互连。每个互连被阻挡层密闭。在电介质层上形成硬掩膜，且图案化该硬掩膜以暴露出在相邻的互连之间的期望气隙的电介质层。蚀刻电介...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。