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使用双频电容耦合等离子体(CCP)以EUV抗蚀剂进行的沟槽和孔图案化制造技术
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下载使用双频电容耦合等离子体(CCP)以EUV抗蚀剂进行的沟槽和孔图案化的技术资料
文档序号:17012907
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公开了一种用于蚀刻在基片上的抗反射涂层(604)的方法。基片(600)包括有机层(606)、设置在有机层(606)上方的抗反射涂层(604)以及设置在抗反射涂层(604)上方的光致抗蚀剂层(602)。该方法包括:将光致抗蚀剂层(602)图案...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。
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