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描述了一种设备，其包含：第一层，由展示自旋轨道转矩效应的材料所形成；第二层，由展示自旋轨道转矩效应的材料所形成；以及磁隧穿结（MTJ），包括第一自由磁层和第二自由磁层，其中第一自由磁层被耦合到第一层并且其中第二自由磁层被耦合到第二层。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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