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本发明提出一种改善闪存单元过擦除问题的方法，包括下列步骤：将晶圆流片至浅沟槽隔离工艺；进行第一次浅沟槽隔离刻蚀处理，其刻蚀深度为预设的第一深度；对源极区域进行保护不进行刻蚀处理；对漏极区域和控制栅极区域进行第二次浅沟槽隔离刻蚀处理，其刻蚀深...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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