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本发明公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。其中在该半导体器件中，焊盘设置在衬底上。凸块结构设置在焊盘上并电连接到焊盘。凸块结构包括顺序地堆叠在焊盘上的第一铜层和第二铜层以及在第二铜层上的焊料球。第一铜层的(111)面与(200)面...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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