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本申请提供一种CMOS器件及其制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成第一阻挡层；对第二N沟道区域和第二P沟道区域的第一阻挡层进行氢或氧等离子体钝化处理；在第一P沟道区域和第二P沟道区域的第一阻挡层上形成第一功函数层；在第一N沟...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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