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本发明公开了一种在三维存储器中形成栅结构的方法和三维存储器，该包括：在半导体衬底上形成存储结构，其中，存储结构包括位于半导体衬底上的多个绝缘层；贯穿多个绝缘层形成多个沟槽，沟槽位于相邻两个绝缘层之间；在沟槽中沉积阻挡层；在阻挡层上沉积第一多...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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