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本发明提供一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括步骤：S1：提供一表面设有导电互连结构的衬底，所述导电互连结构包括第一导电层，所述第一导电层包括若干分立设置的线路结构；S2：在所述线路结构暴露的表面形成绝缘被覆层，所述绝缘被覆层在所述线路...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。

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