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本发明涉及一种提高硅膜层与阳极结合力的方法，属于薄膜沉积技术领域。解决现有技术中大口径RB‑SiC基底采用face‑up表面改性方式易导致的阳极表面沉积的Si层脱落造成被镀镜体表面缺陷的技术问题。本发明提供的提高硅膜层与阳极结合力的方法包括...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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