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本发明提供一种基于NMOS管的栅压自举开关电路，包括用于采样的NMOS管MN1，电压自举电路BOOST，采样开关衬底耦合电容C1，采样开关MN1衬底放电开关MN8，本发明在采样NMOS管NM1的栅极和衬底之间加入了一个耦合电容C1，在采样开...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十四研究所授权不得商用。

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