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本发明提供了一种垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)及其制作方法。所述垂直双扩散场效应晶体管的制作方法包括：在N型外延层进行P型注入并形成P型注入区；在所述N型外延层表面形成P型外延层，所述P型外延层覆盖所述P型注入区；在所述P型外延层进行...
该专利属于欧阳慧琳所有，仅供学习研究参考，未经过欧阳慧琳授权不得商用。

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